脈沖磁場發(fa)生(sheng)器 模(mo)擬由(you)雷擊(ji)建(jian)築(zhu)物和其(qi)他(ta)金屬(shu)構(gou)架(jia)（包(bao)括(kuo)天(tian)線桿、接地體(ti)和接(jie)地網(wang)），以(yi)及(ji)由低壓(ya)、中(zhong)壓(ya)和高壓(ya)電(dian)力系(xi)統中(zhong)故(gu)障(zhang)的起(qi)始(shi)暫(zan)態電流(liu)產(chan)生(sheng)的脈沖磁場對(dui)周圍環境(jing)的設備(bei)以(yi)及(ji)通信系統(tong)的影響(xiang)。

脈沖群(qun)發(fa)生(sheng)器抗(kang)擾(rao)度試(shi)驗，是(shi)模(mo)擬電(dian)網中(zhong)眾(zhong)多(duo)機(ji)械(xie)開關(guan)在切(qie)換感性負載時所(suo)產(chan)生(sheng)的幹擾。這類(lei)幹擾的特(te)點是(shi)：成群(qun)出(chu)現(xian)的窄脈(mai)沖、脈(mai)沖的重復(fu)頻率(lv)較(jiao)高（kHz-MHz 級）、上(shang)升沿陡峭(qiao)（ns 級）單(dan)個(ge)脈(mai)沖的持續(xu)時間(jian)短(duan)暫(zan)（10-100ns 級）、幅(fu)度達到 kV 級。成群(qun)出(chu)現(xian)的窄脈(mai)沖可(ke)對(dui)半導體(ti)器(qi)件(jian)的結電(dian)容充電，當能量積(ji)累到壹定程(cheng)度後可(ke)引起(qi)線路(lu)或設備(bei)出(chu)錯。

電路(lu)中(zhong)，諸如(ru)來自(zi)切(qie)換瞬態過程(cheng)（切(qie)斷(duan)感性負載、繼電(dian)器(qi)觸(chu)點(dian)彈跳(tiao)等(deng)），通(tong)常(chang)會對(dui)同壹電(dian)路(lu)中(zhong)的其他(ta)電(dian)氣(qi)和電(dian)子設備(bei)產(chan)生(sheng)幹擾。這類(lei)幹擾的特(te)點是(shi)：高幅值(zhi)、上(shang)升時間(jian)短(duan)、高重復(fu)率(lv)和低(di)能量。成群(qun)出(chu)現(xian)的窄脈(mai)沖可(ke)對(dui)半導體(ti)器(qi)件(jian)的結電(dian)容充電，當累積(ji)到壹定程(cheng)度後可(ke)能引(yin)起(qi)電(dian)路(lu)或設備(bei)出(chu)錯。我司自(zi)主(zhu)研發(fa)的脈沖群(qun)發(fa)生(sheng)器為(wei)評(ping)估(gu)電氣(qi)和電(dian)子設備(bei)的供電電源端口(kou)、信(xin)號、控制(zhi)和接(jie)地端口(kou)在受(shou)到(dao)電(dian)快(kuai)速(su)瞬變(bian)脈沖群(qun)幹擾時的性能確(que)定壹個共同的能再現(xian)的評定依(yi)據(ju)

觸(chu)摸(mo)式脈沖磁場發(fa)生(sheng)器PFM61009TG是(shi)針(zhen)對(dui)脈沖磁場抗(kang)擾(rao)度試(shi)驗的特(te)點和要(yao)求(qiu)而專門(men)設計(ji)的高可(ke)靠性測(ce)試(shi)儀器(qi)，產(chan)品(pin)*符合(he)IEC61000-4-9和GB/T17626.9標(biao)準(zhun)的要求(qiu)，具(ju)有(you)智能化(hua)、性(xing)能穩定、操(cao)作便捷(jie)等(deng)特(te)點。

群(qun)脈沖發(fa)生(sheng)器電(dian)容耦(ou)合(he)夾能與(yu)主(zhu)機(ji)配(pei)合(he)使用(yong)，在設備(bei)的輸(shu)入(ru)、輸(shu)出(chu)、控制(zhi)線、數(shu)據(ju)線上(shang)疊加幹擾，進行系(xi)統(tong)抗(kang)幹擾試(shi)驗。