標(biao)準3m法(fa)電波(bo)暗室(shi)按照3m測試距(ju)離(li) 設 計(ji) 的(de) 半 電 波(bo) 暗 室(shi) ， 用 於(yu) E N 55032/CISPR 32 B級輻(fu)射(she)發射(she)測(ce)試和(he) IEC/EN61000-4-3輻射抗(kang)擾度測(ce)試的(de)電 波(bo)暗室(shi)頻率(lv)範圍從(cong)26MHz至18GHz可使暗 室(shi)內的(de)反射(she)達(da)到(dao)最(zui)小(xiao)。

本(ben)次(ci)電磁兼(jian)容實(shi)驗(yan)室(shi)建(jian)設項(xiang)目(mu)是(shi)針對(dui)電子產品(pin)的(de)電磁兼(jian)容測(ce)試要(yao)求(qiu)而建設的(de)，包括壹個(ge)緊湊型 緊湊型3m法(fa)半(ban)電波(bo)暗室(shi)，壹個(ge)控制室及(ji)功放室(shi)。電波(bo)暗室(shi)建設完(wan)成(cheng)以(yi)後(hou)，可達(da)到(dao)摸(mo)底(di)實(shi)驗(yan)室(shi)的(de)要求(qiu)，滿 足研(yan)發(fa)、摸底的(de)要求(qiu)。本項(xiang)目為(wei)交(jiao)鑰(yao)匙工程項目，供應(ying)方(fang)負責全(quan)部(bu)工程項目的(de)設計(ji)、制造、安裝(zhuang)、 調(tiao)試，保(bao)證(zheng)達(da)到(dao)各(ge)項(xiang)技(ji)術(shu)指標(biao)性(xing)能和(he)相關(guan)標(biao)準要(yao)求。

標(biao)準3m法(fa)電波(bo)暗室(shi) 3m法電波(bo)暗室(shi)*按照3m測試距(ju)離(li)設計(ji)的(de)半電波(bo)暗室(shi)，用於(yu)EN 55022/CISPR 22 B級輻(fu)射(she)發射(she)測(ce)試和(he)IEC/EN61000-4-3輻射抗(kang)擾度測(ce)試的(de)電波(bo)暗室(shi)頻率(lv)範圍從(cong)26MHz至18GHz可使暗室(shi)內的(de)反射(she)達(da)到(dao)小(xiao)。可廣(guang)泛應(ying)用於(yu)IT產品(pin)，家(jia)用(yong)電器，醫療器械(xie)，汽車零部(bu)件(jian)，小(xiao)型*電子產品(pin)，工業電子用(yong)品(pin)，通(tong)信(xin)領域(yu)等(deng)電磁兼(jian)容測(ce)試，是(shi)上(shang)普(pu)遍(bian)采(cai)用的(de)代替(ti)開(kai)闊場(chang)的(de)實(shi)驗(yan)場(chang)地。